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Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. ZXMD63C03X.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 5.64
Stock
20
2,794,640
Authorized Distributors
0
1
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
MSOP
MSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
1.8 A
2.3 A
Threshold Voltage
1 V
-
Rds On Max
-
135 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
20 V
Power Dissipation
1.25 W
-
Input Capacitance
-
290 pF
Parti correlate
InfineonIRF7509TRPBF
30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package, MICRO8, RoHS
InfineonIRF7506TRPBF
Benefits: RoHS Compliant; Fast Switching; Low Profile (less than 1.1mm); Dual P-Channel MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXMD63C03X fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive 8-Pin MSOP
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, DUAL, NP, MSOP8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:NP; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:2.3A; Resistance, Rds On:0.135ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:MSOP8; Termination Type:SMD; Current, Id Cont P Channel:2A; Current, Idm Pulse:14A; No. of Pins:8; Power, Pd:1.04W; Resistance, Rds on N Channel Max:0.135ohm; Resistance, Rds on P Channel Max:0.185ohm; SMD Marking:ZXM63C03; Temperature, Current:25°C; Transistors, No. of:2; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs Rds N Channel:10V; Voltage, Vgs Rds P Channel:10V; Voltage, Vgs th Min:1V; Voltage, Vgs th N Channel 1 min:1V; Voltage, Vgs th P Channel Min:1V
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageMSOP
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Resistance222 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Breakdown Voltage30 V
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.25 W
Resistance135 mΩ
Threshold Voltage1 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. ZXMD63C03X.