Diodes Inc. ZXMD63C03XTA
$ 5.64
Obsolete
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Rivenditori non autorizzati
Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Nessun dato disponibile
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-09-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2018-11-22
LTD Date2019-05-22
Parti correlate
InfineonIRF7509TRPBF
30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package, MICRO8, RoHS
InfineonIRF7503TRPBF
Trans Mosfet Array Dual N-Ch 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R - Tape And Reel Irf7503Trpbf)
InfineonIRF7506TRPBF
Benefits: RoHS Compliant; Fast Switching; Low Profile (less than 1.1mm); Dual P-Channel MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXMD63C03XTA fornite dai suoi distributori.
MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP / Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 8-Pin MSOP T/R
N & P-Channel 30V 0.135 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET-MSOP-8
30 V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-187AA
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Nessun dato disponibile
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageMSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight139.989945 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance135 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time4.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance290 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Rds On Max135 mΩ
Resistance185 mΩ
Rise Time4.8 ns
Turn-Off Delay Time13.1 ns
Turn-On Delay Time2.6 ns
Dimensions
Height950 µm
Length3.1 mm
Width3.1 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità