Diodes Inc. ZXM61N03FTA
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Stock
5,708,697
294,473
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
1.4 A
1.4 A
Threshold Voltage
-
1 V
Rds On Max
220 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
625 mW
806 mW
Input Capacitance
150 pF
-
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-07-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMP3A13FTA
Power MOSFET, Low Voltage, P Channel, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.ZXM61P03FTA
ZXM61P03F 30 V 0.35 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23
Diodes Inc.ZXMN3A01FTA
ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXM61N03FTA fornite dai suoi distributori.
ZXM61N03F Series 30 V 1.4 A 220 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet-SOT-23-3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
MOSFET, N SOT-23 REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:1.4A; Resistance, Rds On:0.22ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:7.3A; No. of Pins:3; Power, Pd:625W; Power, Ptot:625W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on Max:0.22ohm; SMD Marking:N03; Temperature, Current:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Rds Measurement:10V; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Min:1V; Width, Tape:8mm
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.4 A
Current Rating1.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance150 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation625 mW
Rds On Max220 mΩ
Resistance220 mΩ
Rise Time2.5 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time5.8 ns
Turn-On Delay Time1.9 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità