Diodes Inc. MJD31CQ-13

Name: Diodes Inc. MJD31CQ-13
Brand: Diodes Inc.
SKU: MJD31CQ-13

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

$ 0.35

NRND

Pagina del produttore Scheda dati

Prezzo e stock

Distributori autorizzati

Distributori di stock non autorizzati

Rivenditori non autorizzati

Vedi tutte le interruzioni di prezzo

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		MJD31CQ-13	1245	1	Cut Tape	1,270	0,824	0,577	0,435	0,435
DigiKey	2	MJD31CQ-13DICT-ND	2071	1	Cut Tape	1,260	0,788	0,518	0,365	0,365
TME	2	MJD31CQ-13	0	1		1,258*	0,786*	0,513*	0,364*	0,269*	16h
Future Electronics		MJD31CQ-13	0	2500	Tape & Reel					0,285
Avnet		MJD31CQ-13	0	2500						0,221	1d

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: -2.10%

Modelli CAD

Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP

Parti alternative

1 parte disponibile

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. MJD31CQ-13.

IHS

Datasheet7 pagine9 anni fa

Diodes Inc SCT

Future Electronics

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:

-2.10%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Diodes Inc. MJD31CQ-13, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTE	eCAD	mCAD	FILE
Component Search Engine	SimboloImpronta	3D	Scarica
Ultra Librarian	SimboloImpronta		Scarica

Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD

Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Parti alternative

Questo componente

Parti alternative

Diodes Inc.MJD31CQ-13

onsemiMJD31CT4G

Price @ 1000

$ 0.35

$ 0.259

Stock

84,813

4,282,829

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-252-3

DPAK

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

100 V

Max Collector Current

3 A

Transition Frequency

3 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1.2 V

hFE Min

Power Dissipation

1.56 W

Supply Chain

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-05-04

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

Diodes Inc.MJD32C-13

MJD32C Series 100 V 3 A 15 Watt PNP Surface Mount Transistor - TO-252-3

Dettagli

onsemiMJD32CTM

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, PNP

Dettagli

onsemiNJVMJD31CRLG

TRANS NPN 100V 3A DPAK / Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount DPAK

Dettagli

onsemiKSH31CTM

Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 10 @ 3A 4V 50muA 1.56W 3MHz

Dettagli

Toshiba2SC6076(TE16L1,NV)

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

Dettagli

ToshibaTTA003,L1NQ(O

Bipolar Transistors - BJT PNP -80V 10W 100MHz 200 hFE

Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Diodes Inc. MJD31CQ-13 fornite dai suoi distributori.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Avnet Silica

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Verical

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin

Semicontronic

Trans, Npn, 100V, 3A, 150Deg C, 15W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. MJD31CQ-13

Newark

Alias del produttore

Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi: