Diodes Inc. DMP2066LSN-7
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Tendenza a 3 mesi: +83.88%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-08-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
Parti correlate
InfineonIRLML2502TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 4.3A; 0.05ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
InfineonIRLML2502GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 20V, 4.2A, MICRO3; Transistor Polarity:N Channel; Con
InfineonIRLML6402TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -3.7A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-12V
Diodes Inc.DMG2305UXQ-7
P-Ch MOSFET 20V 4.2A 52mΩ@4.2A,4.5V 808pF@15V SOT-23-3 SMD 2.9mm × 1.3mm × 1.03mm
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMP2066LSN-7 fornite dai suoi distributori.
P-Channel 20 V 40 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SC-59
Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
DiodesZetex P-Ch MOSFET, Vds=20V, 3.7A, SOT-346, SMD, 3-Pin
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 20V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +83.88%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance820 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.25 W
Rds On Max40 mΩ
Rise Time9.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time4.4 ns
Dimensions
Height1.3 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità