Diodes Inc. DMP10H400SEQ-13
$ 0.328
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP10H400SEQ-13 | 615 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMP10H400SEQ-13 | 185.000 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | DMP10H400SEQ-13 | 185.000 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMP10H400SEQ-13DICT-ND | 12.877 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMP10H400SEQ-13 | 0 | 1 | 17h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -25.36%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMP10H400SEQ-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-12-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
NXP SemiconductorsPMT200EN,115
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsPMT200EN,135
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.DMN10H120SE-13
Single N-Channel 100 V 122 mOhm 5.2 nC 2.1 W Silicon SMT Mosfet - SOT-223
NXP SemiconductorsPMT760EN,135
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMP10H400SEQ-13 fornite dai suoi distributori.
Mosfet, P-Ch, 100V, 6A, Sot-223 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP10H400SEQ-13
Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2W(Ta),13.7W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 17.5nC@ 10 V 1P 100V 250m¦¸@ 5A,10V 2.3A,6A 1.239nF@25V SOT-223-3 6.5mm*350cm*1.6mm
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -25.36%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance1.239 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation13.7 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max250 mΩ
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
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