Diodes Inc. DMN10H220LE-13
$ 0.311
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMN10H220LE-13 | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Newark | DMN10H220LE-13 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMN10H220LE-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMN10H220LE-13 | 0 | 2500 | 13h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN10H220LE-13 | 0 | 2500 |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN10H220LE-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Parti correlate
NXP SemiconductorsPMT200EN,115
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.ZXMP7A17GQTA
Trans MOSFET P-CH 70V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
NXP SemiconductorsPMT200EN,135
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonBSP296NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 / N-Channel 100 V 1.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN10H220LE-13 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
N-Channel 100 V 220 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
1.8W(Ta) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 8.3nC@ 10 V 1N 100V 220m¦¸@ 1.6A,10V 2.3A 401pF@25V SOT-223-3
Mosfet, N-Ch, 100V, 6.2A, Sot-223 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H220LE-13
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time3.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance401 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max220 mΩ
Rise Time8.2 ns
Turn-Off Delay Time7.9 ns
Turn-On Delay Time6.8 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant