Diodes Inc. DMN10H120SE-13
$ 0.26
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMN10H120SE-13 | 0 | 1 | 7h | ||||||||
| Avnet | DMN10H120SE-13 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Future Electronics | DMN10H120SE-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | DMN10H120SE-13 | 0 | 2500 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN10H120SE-13 | 0 | 2500 |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -43.75%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN10H120SE-13.
Parti correlate
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsPMT200EN,135
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.ZXMP7A17GQTA
Trans MOSFET P-CH 70V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Diodes Inc.DMP10H400SE-13
DMP10H400SE Series 100 V 2.3 A P Channel Enhancement Mode Mosfet-SOT-223
NXP SemiconductorsPMT760EN,135
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN10H120SE-13 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 100 V 122 mOhm 5.2 nC 2.1 W Silicon SMT Mosfet - SOT-223
Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
100V 3.6A 110mΩ@10V,3.3A 1.3W 3V@250uA N Channel SOT-223-3 MOSFETs ROHS
1.3W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 10nC@ 10 V 1N 100V 110m¦¸@ 3.3A,10V 3.6A 549pF@50V SOT-223-3 6.5mm*3.5mm*1.6mm
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 100 V, RoHS
Diodes Inc SCT
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Mosfet Bvdss: 61V~100V Sot223 T&r 2.5K
MOSFET, N-CH, 3.6A, 100V, SOT-223; Trans; MOSFET, N-CH, 3.6A, 100V, SOT-223; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage Vds: 100V; Continuous Drain Current Id: 3.6A; On Resistance Rds(on): 0.077ohm; Transistor Moun
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -43.75%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance549 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max110 mΩ
Schede tecniche e documenti
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