Diodes Inc. BCP56TA
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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$ 0.164
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Stock
764,899
10,655,941
10,655,941
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-223
SOT-223-4
SOT-223-4
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
150 MHz
130 MHz
130 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
25
40
40
Power Dissipation
2 W
1.5 W
1.5 W
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. BCP56TA fornite dai suoi distributori.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount
BCP56 Series 80 V 1 A 2 W SMT NPN Medium Power Transistor - SOT-223
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS NPN 80V 1A SOT223-4
NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
500mV@ 50mA,500mA NPN 2W 5V 100nA 100V 80V 1A SOT-223-3 6.5mm*3.5mm*1.55mm
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
TRANSISTOR, NPN, 80V, 1A, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:1A; Power Dissipation:2W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:3Pins; Transition Frequency:150MHz RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.55 mm
Width3.55 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità