Diodes Inc. 2N7002DW-7-F

Name: Diodes Inc. 2N7002DW-7-F
Brand: Diodes Inc.
SKU: 2N7002DW-7-F

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R

$ 0.075

Production

Pagina del produttore Scheda dati

Prezzo e stock

Distributori autorizzati

Distributori di stock non autorizzati

Rivenditori non autorizzati

Vedi tutte le interruzioni di prezzo

Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		2N7002DW-7-F	563	1	Bulk	0,030	0,030	0,030	0,030	0,030	11h
Arrow Electronics		2N7002DW-7-F	2000	1		0,289	0,178	0,112	0,073	0,073
TME	2	2N7002DW-7-F	1380	1		0,276	0,200	0,113	0,068	0,048	11h
Newark	2	2N7002DW-7-F	0	5	Cut Tape		0,192	0,125	0,086	0,086
Conrad		3409424	40			0,046*	0,046*	0,046*	0,046*	0,046*	5h

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: -2.36%

Modelli CAD

Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP

Parti alternative

1 parte disponibile

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. 2N7002DW-7-F.

Newark

Datasheet6 pagine4 anni fa

Datasheet5 pagine12 anni fa

Upverter

Future Electronics

Diodes Inc SCT

element14 APAC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:

-2.36%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Diodes Inc. 2N7002DW-7-F, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTE	eCAD	mCAD	FILE
Component Search Engine	SimboloImpronta	3D	Scarica
EE Concierge	SimboloImpronta
Ultra Librarian	SimboloImpronta		Scarica

Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD

Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Parti alternative

Questo componente

Parti alternative

Diodes Inc.2N7002DW-7-F

onsemi2N7002DW

Price @ 1000

$ 0.075

$ 0.132

Stock

49,316,858

4,181,213

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-363

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

115 mA

Threshold Voltage

2 V

1.76 V

Rds On Max

7.5 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

310 mW

200 mW

Input Capacitance

50 pF

Supply Chain

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-02-26

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Parti correlate

Diodes Inc.DMN65D8LDW-7

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 200mA 6-Pin SOT-363 T/R

Dettagli

Diodes Inc.BSS84DW-7-F

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 50V 130mA 6-Pin SOT-363 T/R

Dettagli

Diodes Inc.DMN63D8LDW-7

Dual N-Channel 30 V 2.8 O 0.3 W SMT Enhancement Mode MosFet - SOT-363

Dettagli

InfineonBSD314SPEH6327XTSA1

MOSFET Devices; INFINEON; BSD314SPEH6327XTSA1; -30 V; -1.5 A; 20 V; 500 mW

Dettagli

onsemiNTJS4160NT1G

Small Signal MOSFET 30V 3.2A 60 mOhm Single N-Channel SC−88/SC70−6/SOT−363

Dettagli

InfineonBSD223PH6327XTSA1

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R

Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Diodes Inc. 2N7002DW-7-F fornite dai suoi distributori.

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R

Avnet Japan

2N7002DW Series 60 V 7.5 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode Transistor SOT-363

Future Electronics

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 60V, 0.115A, SOT-363; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):13.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:

element14 APAC

Mosfet, N Channel, Dual, 60 V, 800Ma, Sot-363; Transistor, Polaridad:Canal N Dual; Intensidad Drenador Continua Id:800Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:60V; Resistencia De Activación Rds(On):13.5Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Diodes Inc. 2N7002DW-7-F

Newark

Immagini

element14

Farnell

Alias del produttore

Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

Diodes Incorporated
DIODE
DII
DIO
DIODE INC
DC COMPONENTS
DIOD
YENYO
Diodes Zetex
MICRO COM
MICRO ELECTRONIC INS
Diodes Inc / Zetex
DIODE INCORPORATED
DIODES ZET
DIODSE
DINC
Diodes Inc Inc
DIOINC
FORMOSA MS
DIODES INC(RoHS)
ZETEX (DIODES INC)
DIODES INC/VISHAY
Diodes Incorporation
ZETEXDIODES
DIODES INC/VISH
Pericom
Diodes Incorporated

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

2N7002DW-7-F????
2N7002DW-7F
2N7002DW7-F
2N7002DW7F

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: -2.36%

Modelli CAD

Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP

Parti alternative

1 parte disponibile

Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageSOT-363

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight6.010099 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)115 mA

Current Rating115 mA

Drain to Source Breakdown Voltage70 V

Drain to Source Resistance7.5 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Dual Supply Voltage60 V

Element ConfigurationDual

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance50 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation200 mW

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2 V

Number of Channels2

Number of Elements2

PackagingCut Tape

Power Dissipation310 mW

Rds On Max7.5 Ω

Resistance7.5 Ω

Schedule B8541210080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage2 V

Turn-Off Delay Time11 ns

Turn-On Delay Time7 ns

Voltage Rating (DC)60 V

Dimensions

Height1.1 mm

Length2.2 mm

Width1.35 mm

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. 2N7002DW-7-F.

Newark

Datasheet6 pagine4 anni fa

Datasheet5 pagine12 anni fa

Upverter

Future Electronics

Diodes Inc SCT

element14 APAC

Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Rohs Statement127 pagine13 anni fa