Vishay SUP90N04-3M3P-GE3
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Pièces détachées
InfineonIRF1404ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 2.7Milliohms;ID 190A;TO-220AB;PD 220W;-55de
InfineonIRLB8743PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Vishay SUP90N04-3M3P-GE3 fournies par ses distributeurs.
MOSFET,N CH,W DIODE,40V,90A,TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
SUP90N04-3M3P-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 90 A, 40 V, 3-PIN TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET,N CH,W DIODE,40V,90A,TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Voltage Vgs Max:20V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.286 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max3.3 mΩ
Rise Time7 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité