Infineon IRLB8743PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-04-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Pièces détachées
InfineonIRF3709PBF
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A⑥) | MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
Descriptions
Descriptions de Infineon IRLB8743PBF fournies par ses distributeurs.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 30 V 8.7 mOhm 36 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 140 W
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 30V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 30V, 78A, TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:150A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:140W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)78 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.11 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.2 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation140 W
Rds On Max3.2 mΩ
Recovery Time44 ns
Resistance8.7 MΩ
Rise Time92 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité