Vishay SUD50N04-8M8P-4GE3
$ 0.466
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SUD50N04-8M8P-4GE3 | 12 500 | 2500 | 20h | ||||||||
| Newark | SUD50N04-8M8P-4GE3 | 2 322 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | SUD50N04-8M8P-4GE3 | 7 500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Rutronik | TMOSP8923 | 2 500 | 2500 | 1h | ||||||||
| Verical | SUD50N04-8M8P-4GE3 | 2 322 | 174 |
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD17NF03LT4
N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD26P3LLH6
P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 12 A, STripFET(TM) VI DeepGATE Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD18NF03L
N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ., 17A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
Descriptions
Descriptions de Vishay SUD50N04-8M8P-4GE3 fournies par ses distributeurs.
SUD50N04-8M8P-4GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 50 A, 40 V, 3-PIN TO-252
Single N-Channel 40 V 0.0088 Ohm 48.1 W Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Mosfet, N-Ch, 40V, 50A, To-252Aa-3; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:50A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Vishay SUD50N04-8M8P-4GE3.
MOSFET, N CH, 40V, 50A, TO252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):6.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:48.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:48.1W; Voltage Vgs Max:20V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Resistance8.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation48.1 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation48.1 W
Rds On Max8.8 mΩ
Resistance8.8 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité