STMicroelectronics STD26P3LLH6
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD40NF03LT4
N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STMicroelectronicsSTD75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTD86N3LH5
STD86N3LH5 Series 30 V 0.005 Ohm 80 A N-Channel STripFET H5 Power Mosfet-DPAK-3
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STD26P3LLH6 fournies par ses distributeurs.
P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 12 A, STripFET(TM) VI DeepGATE Power MOSFET in a DPAK package
STD26P3LLH6 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 30 V, 3-PIN DPAK
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 40W; DPAK
Mosfet, P-Ch, 30V, 12A, To-252; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:12A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STD26P3LLH6
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.45 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max30 mΩ
Resistance5.5 mΩ
Rise Time15 ns
Threshold Voltage-2.5 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant