Vishay SUD08P06-155L-GE3
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Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SUD08P06-155L-GE3.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD12NF06T4
N-Channel 60V - 0.08Ohm - 12A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
InfineonIPD350N06LGBTMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS® Power-Transistor
InfineonIPD088N06N3GBTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Descriptions
Descriptions de Vishay SUD08P06-155L-GE3 fournies par ses distributeurs.
Single P-Channel 60 V 155 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252
MOSFET, P-CH, 20V, -8.2A, TO-252; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -8.2A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -2V;
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 60V, 0.155ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +23.26%
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance155 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance450 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.7 W
Rds On Max155 mΩ
Resistance155 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité