Vishay SQJ422EP-T1_GE3
$ 0.836
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SQJ422EP-T1_GE3 | 3 000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | SQJ422EP-T1_GE3 | 3 016 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SQJ422EP-T1_GE3CT-ND | 2 129 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SQJ422EP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 3d | |||||||
| Future Electronics | SQJ422EP-T1_GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +102%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SQJ422EP-T1_GE3.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Vishay SQJ422EP-T1_GE3, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFH7440TRPBF
Single N-Channel 40 V 2.4 mOhm 92 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
InfineonIRFH7446TRPBF
Single N-Channel 40 V 3.3 mOhm 65 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
STMicroelectronicsSTD155N3H6
N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
onsemiNTTFS5C454NLTAG
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 85A, 3.8mΩ Power MOSFET 40V, 85A, 3.8 mOhm, Single N-Channel, u8FL, Logic Level
VishaySQJ858AEP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 58A / Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Descriptions
Descriptions de Vishay SQJ422EP-T1_GE3 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 75 A, 0.0034 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Single N-Channel 40 V 3.4 mOhm 83 W SMT Automotive Power Mosfet - PowerPAK SO-8L
MOSFET Devices; VISHAY; SQJ422EP-T1_GE3; 40 V; 75 A; 20 V; 83 W
83W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 100nC@ 10 V 1N 40V 3.4m¦¸@ 18A,10V 74A 5nF@20V
MOSFET, N-CH, 40V, 75A, PPAKSO8L
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 40V, 75A, PPAKSO8L; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +102%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.66 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation83 W
Rds On Max3.4 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.267 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SQJ422EP-T1_GE3.
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité