STMicroelectronics STD155N3H6
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-10-03
LTD Date2019-04-03
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD100N3LF3
N-channel 30 V, 0.0045 Ohm typ., 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTD70NS04ZL
Power MOSFET, N Channel, 33 V, 70 A, 10.5 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
onsemiNTD85N02RT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 85A Tc 85A 2.4W 12ns
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STD155N3H6 fournies par ses distributeurs.
N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 30V, 80A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:80A; On Resistance Rds(on):0.0025ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.65 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max3 mΩ
Resistance3 MΩ
Rise Time90 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant