Vishay SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06 Series 60 V 23 A 31 mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - TO-252-3
$ 0.823
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
NewarkSQD23N06-31L_GE33 8401Cut Tape
Future ElectronicsSQD23N06-31L_GE32 0002KTape & Reel
DigiKey
3
SQD23N06-31L_GE3CT-ND2 0001Cut Tape
TTISQD23N06-31L-GE32 0002KTape & Reel
12h
Avnet
2
SQD23N06-31L-GE302K
12h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SQD23N06-31L_GE3.

IHS

Datasheet11 pagesIl y a 10 ans

Farnell

Newark

element14 APAC

Future Electronics

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-24.30%
Powered bySpectra logo

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Vishay SQD23N06-31L_GE3, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-08-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-10-01
LTD Date2015-06-30

Pièces détachées

VishaySQD25N06-22L_GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252 / Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Détails
InfineonIRLR2705TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 28A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W;-55de
Détails
InfineonIRLR2705PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 28A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W;-55de
Détails
InfineonAUIRFR4105
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Détails
onsemiFQD20N06LETM
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Détails
onsemiHUF75329D3ST
N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 20A, 26mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay SQD23N06-31L_GE3 fournies par ses distributeurs.

SQD23N06 Series 60 V 23 A 31 mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - TO-252-3
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET,N CH,W DIODE,60V,23A,TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 23A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Po
Farnell

Images

Vishay
element14 APAC

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SQD23N06-31L-GE3
  • SQD23N06-31L/GE3
  • SQD23N06-31LGE3
  • SQD23N0631LGE3