Infineon IRLR2705TRPBF
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Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IRLR2705TRPBF | 1 500 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | IRLR2705TRPBF | 4 000 | 2K | Tape & Reel | ||||||||
| Rutronik | TMOSP12615 | 2 000 | 2K | 6h | ||||||||
| Rochester Electronics | IRLR2705TRPBF | 2 | 23h | |||||||||
| DigiKey | IRLR2705PBFCT-ND | 21 115 | 1 | Cut Tape |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRLR2705PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 28A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W;-55de
onsemiHUFA76419D3S
20A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Descriptions
Descriptions de Infineon IRLR2705TRPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 28A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W;-55de
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 0.04ohm; 68W; -55+175 deg.C; SMD; TO252AA(DPAK)
Single N-Channel 55 V 40 mOhm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:28A; On Resistance, Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Current Rating28 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance51 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance880 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance40 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation46 W
Rds On Max40 mΩ
Resistance40 MΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time8.9 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité