Vishay SISS23DN-T1-GE3
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Pièces détachées
VishaySIS435DNT-T1-GE3
SIS435DNT-T1-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 22 A, 20 V, 8-PIN POWERPAK 1212
VishaySIS454DN-T1-GE3
SIS454DN-T1-GE3 series 20 V 35 A 3.7 mOhm N-Channel PowerPAK 1212-8 Mosfet
VishaySIS415DNT-T1-GE3
SIS415DNT-T1-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 22 A, 20 V, 8-PIN POWERPAK 1212
Descriptions
Descriptions de Vishay SISS23DN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
SISS23DN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 27 A; 20 V; 8-Pin PowerPAK 1212
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 50 A, 4.5 mOhm, PowerPAK 1212, 8 Pins, Surface Mount
MOSFET, P-CH, -20V, -50A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -50A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: 900mV; Power Dissipation Pd: 57W; Transistor Case Style: PowerPAK 1212; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance8.84 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation4.8 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time50 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage900 mV
Turn-Off Delay Time150 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height830 µm
Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité