Vishay SISA01DN-T1-GE3
$ 0.512
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | SISA01DN-T1-GE3 | 0 | 1 | 3h | ||||||||
| TTI | SISA01DN-T1-GE3 | 0 | 6K | Tape & Reel | 14h | |||||||
| Newark | SISA01DN-T1-GE3 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SISA01DN-T1-GE3 | 0 | 6K | 15h | ||||||||
| Future Electronics | SISA01DN-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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Pièces de rechange
1 composant disponible
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.512
$ 0.347
Stock
151,363
51,981
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
60 A
50 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
20 V
Power Dissipation
3.7 W
2 W
Input Capacitance
-
-
Descriptions
Descriptions de Vishay SISA01DN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK 1212
Avnet Japan
30 V 22.4 A 52 W Surface Mount P-Channel Mosfet - PowerPAK® 1212-8
P-Channel 30-V (D-S) Mosfet |Vishay SISA01DN-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0049ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
3.7W(Ta),52W(Tc) 16V,20V 2.2V@ 250¦ÌA 84nC@ 10 V 1P 30V 4.9m¦¸@ 15A,10V 22.4A,60A 3.49nF@15V 3.05mm*3.05mm*1.07mm
MOSFET, P-CH, -30V, -60A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-60A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0041ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance4.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.17 mm
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