Infineon IPD25CN10NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
$ 0.534
EOL
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIPD25CN10NGATMA12 0121
Future Electronics
2
IPD25CN10NGATMA110 0002500Tape & Reel
RutronikTMOSP93162 5002500
10h
Rochester ElectronicsIPD25CN10NGATMA16 401
2h
DigiKey
2
IPD25CN10NGATMA1CT-ND1 2581Cut Tape

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPD25CN10NGATMA1.

IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-17
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Pièces détachées

InfineonIRFR3710ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 15Milliohms;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
Détails
InfineonIRFR3710ZTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 15Milliohms;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
Détails
InfineonIRFR540ZTRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Détails
STMicroelectronicsSTD47N10F7AG
Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTD30N10F7
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
Détails
onsemiFDD3672-F085
N-Channel MOSFET, UltraFET® Trench, 100V, 44A, 28mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD25CN10NGATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
OPTIMOS 2 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N-CH, 100V, 35A, TO252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:71W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
element14 APAC

Images

RS
iiiC
element14 APAC
element14 APAC
RS APAC
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD25CN10N G
  • IPD25CN10NG
  • IPD25CN10NGBUMA1
  • SP001127810