onsemi FDS6676AS
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Stock
704,328
342,495
Authorized Distributors
3
2
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOIC
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Continuous Drain Current (ID)
14.5 A
14.5 A
Threshold Voltage
1.5 V
-
Rds On Max
6 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
16 V
Power Dissipation
1 W
2.5 W
Input Capacitance
2.51 nF
-
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-03-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 21 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 21 hours ago)
Pièces détachées
InfineonIRF8707GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS6676AS fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,14.5A I(D),SO
N-Channel PowerTrench® SyncFET™, 30V, 14.5A, 6.0mΩ
MOSFET, N CH, 30V, 14.5A, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id: 14.5A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltag
The FDS6676AS is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDS6676AS includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)14.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.51 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Rds On Max6 mΩ
Resistance6 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité