Vishay SIR166DP-T1-GE3
$ 0.688
NRND
Prix et stock
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 742-SIR166DP-T1-GE3CT-ND | 2 081 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIR166DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 9h | ||||||||
| TTI | SIR166DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 17h | |||||||
| Newark | SIR166DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Future Electronics | SIR166DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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Pièces détachées
VishaySIRA06DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, PPAK-SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Cur
VishaySIR466DP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 3.5 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Descriptions
Descriptions de Vishay SIR166DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
SiR166DP Series N-Channel 30 V 0.0040 Ohm 48 W SMT Mosfet - PowerPAK® SO-8
Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
5W(Ta),48W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 77nC@ 10 V 1N 30V 3.2m¦¸@ 15A,10V 40A 3.34nF@15V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
MOSFET,N CH,DIODE,30V,40A,PPAKSO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2600µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:29.5A; Power Dissipation Pd:5W; Voltage Vgs Max:20V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.34 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation5 W
Rds On Max3.2 mΩ
Resistance4 MΩ
Rise Time21 ns
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité