Vishay SI8810EDB-T2-E1
$ 0.174
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI8810EDB-T2-E1CT-ND | 305 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI8810EDB-T2-E1 | 0 | 3K | 12h | ||||||||
| TTI | SI8810EDB-T2-E1 | 0 | 3K | Tape & Reel | 23h | |||||||
| Newark | SI8810EDB-T2-E1 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Future Electronics | SI8810EDB-T2-E1 | 0 | 3K | Tape & Reel |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +155%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SI8810EDB-T2-E1.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
VishaySI8406DB-T2-E1
VISHAY SI8406DB-T2-E1 MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 20 V, 0.026 ohm, 4.5 V, 400 mV
VishaySI8472DB-T2-E1
Si8472DB Series N-Channel 20 V 44 mOhm Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT
Descriptions
Descriptions de Vishay SI8810EDB-T2-E1 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 20-V (D-S) Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SI8810EDB-T2-E1
20V 2.1A 72m´Î@4.5V1A 500mW 900mV@250Ã×A N Channel BGA-4 MOSFETs ROHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
20V, 2.9A, 0.072ohm, TrenchFET®, N-Channel, MICROFOOT 0.8X0.8
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +155%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageBGA
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance92 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance245 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation900 mW
Rds On Max72 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time25 ns
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SI8810EDB-T2-E1.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité