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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2010-09-23
LTD Date2011-03-23
Pièces détachées
VishaySI8489EDB-T2-E1
SI8489EDB-T2-E1 P-channel MOSFET Transistor; 4.3 A; 20 V; 4-Pin MICRO FOOT
VishaySI8472DB-T2-E1
Si8472DB Series N-Channel 20 V 44 mOhm Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT
Descriptions
Descriptions de onsemi FDZ293P fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 7-Pin BGA T/R
009 BALLS, FC-09B MOSFET BGA, 1.5 X 1.5MM PKG, SMD (Z7)<AZ
1.7W(Ta) 1.5V@ 250µA 11nC@ 4.5V 1individualPChannel 20V 46mΩ@ 4.6A,4.5V 754pF@10V 9BGA SMD mount
MOSFETs 2.5V PCH,BGA 1.5x1.5 SPECIFIED POWRTRENCH
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 20V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modèles CAO
0 models available
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Pins9
Number of Terminals9
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.6 A
Current Rating-4.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance46 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance754 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.7 W
Rds On Max46 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height850 µm
Fiches techniques et documents
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