Vishay SI7949DP-T1-GE3
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Prix et stock
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI7949DP-T1-GE3 | 4 327 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SI7949DP-T1-GE3 | 3 000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | SI7949DP-T1-GE3 | 3 000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SI7949DP-T1-GE3CT-ND | 842 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7949DP-T1-GE3 | 3 000 | 3K | Tape & Reel | 14h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Pièces de rechange
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Price @ 1000
$ 0.844
$ 0.817
Stock
226,810
390,222
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
-
Continuous Drain Current (ID)
3.2 A
3.2 A
Threshold Voltage
-3 V
-3 V
Rds On Max
64 mΩ
64 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.5 W
1.5 W
Input Capacitance
-
-
Pièces détachées
Diodes Inc.DMN6070SSD-13
DMN6070 Series 60 V 3.3 A 80 mOhm Dual N-Ch. Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
STMicroelectronicsSTS4DNF60L
N-Channel 60V - 0.045 Ohm - 4A - SO-8 STripFET(TM) II POWER MOSFET
Diodes Inc.ZXMC4559DN8TC
2.1W 20V 1V@ 250¦ÌA (Min) 20.4nC@ 10V 2N+2P 60V 55m¦¸@ 4.5A,10V 3.6A,2.6A 1.063nF@30V SOIC-8
InfineonIRF7343TRPBF
Dual N/P-Channel 55 V 0.05/0.105 Ohm 24/26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Descriptions
Descriptions de Vishay SI7949DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
MOSFET Devices; VISHAY; SI7949DP-T1-GE3; 20 V; 1.5 W; 65 ns; 8 ns
3.5W 20V 3V@ 250¦ÌA 40nC@ 10V 2P 60V 64m¦¸@ 5A,10V 3.2A 4.9mm*5.89mm*1.04mm
MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 5A, SOIC;
DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 60V, 0.064ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DUAL P-CH 60V 5A 64mOhm PPSO-8
IC PWR MGMT TRIPLE-SUPPLY 20-QFN
DUAL P CHANNEL MOSFET, -60V, 5A; Transis; DUAL P CHANNEL MOSFET, -60V, 5A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id, P Channel:-3.2A; Drain Source Voltage Vds, P Channel:-60V; On Resistance Rds(on), P Channel:0.051ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance64 mΩ
Element ConfigurationDual
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max64 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité