Vishay SI7852DP-T1-E3
$ 1.53
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI7852DP-T1-E3 | 3 000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SI7852DP-T1-E3 | 4 545 | 6 | |||||||||
| Arrow Electronics | SI7852DP-T1-E3 | 4 545 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SI7852DP-T1-E3CT-ND | 8 379 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7852DP-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 17h |
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Modèles CAO
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Vishay SI7852DP-T1-E3 fournies par ses distributeurs.
TRANS MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-PIN POWERPAK SO T/R | Siliconix / Vishay SI7852DP-T1-E3
1.9W(Ta) 20V 2V@ 250¦ÌA (Min) 41nC@ 10 V 1N 80V 16.5m¦¸@ 10A,10V 7.6A 2.5nF 4.9mm*5.89mm*1.07mm
N-Channel 80 V 7.6 A 16.5 Ohm 1.9 W Surface Mount Power MOSFET - PowerPAK-SO-8
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 80V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel MOSFETs 80V 12.5A 5.2W
IC REG BUCK ADJUSTABLE 1A 8SOIC
MOSFET, N SO-8 REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:80V; Current, Id Cont:7.6A; Resistance, Rds On:10.9ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:SOIC PowerPAK; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:50A; External Depth:5.26mm; External Length / Height:1.2mm; N-channel Gate Charge:41nC; No. of Pins:8; Power Dissipation:1.9W; Power, Pd:1.9W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on Max:0.0165ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25K; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.8°C/W; Voltage, Vds Max:80V; Voltage, Vgs Max:20V; Voltage, Vgs th Min:2V; Width, External:6.2mm; Width, Tape:12mm
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance16.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.2 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max16.5 mΩ
Resistance16.5 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité