onsemi FDS5351
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-05-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7478TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7478PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS5351 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 6.1A, 35mΩ
N-Channel 60 V 35 mOhm SMT PowerTrench Mosfet SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC N T/R
Avnet Japan
MOSFET N-Ch 60V 6.1A PowerTrench SOIC8
onsemi NMOS PowerTrench, Vds=60 V, 6.1 A, SOIC, , 8
Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
60/20V,NCH POWER TRENCH MOSFET
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.31 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Rds On Max35 mΩ
Resistance35 MΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9 mm
Width3.9 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité