Vishay SI7623DN-T1-GE3
$ 0.703
NRND
Prix et stock
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Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | SI7623DN-T1-GE3 | 6 000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | SI7623DN-T1-GE3 | 3 000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | SI7623DN-T1-GE3 | 237 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SI7623DN-T1-GE3CT-ND | 1 705 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI7623DN-T1-GE3 | 0 | 3K | 12h |
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Pièces de rechange
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Pièces détachées
VishaySI7615ADN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -20V, -35A, POWERPAK-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous
VishaySI7629DN-T1-GE3
Single P-Channel 20 V 4.6 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
VishaySI7615DN-T1-GE3
P-Channel 20 V 3.9 mO 183 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
InfineonIRLH6224TRPBF
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5 by 6 package, PG-TDSON-8, RoHS
Descriptions
Descriptions de Vishay SI7623DN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Avnet Japan
MOSFET -20V 3.8MOHM@10V 35A P-CH G-III
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 20V, 0.0038ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P-CH, 20V, 35A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-35A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance3.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance5.46 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max3.8 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-400 mV
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité