Vishay SI7489DP-T1-E3

SI7489DP-T1-E3 P-channel Mosfet Transistor, 28 A, 100 V, 8-PIN SOIC
$ 1.477
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
73K29853921
3d
Newark
2
SI7489DP-T1-E32 1921Cut Tape
Arrow ElectronicsSI7489DP-T1-E3851
VericalSI7489DP-T1-E3856
CoreStaffST636998741 7281
22h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SI7489DP-T1-E3.

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Future Electronics

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
VishaySI7489DP-T1-E3
VishaySI7489DP-T1-GE3
Price @ 1000
$ 1.477
$ 1.63
Stock
334,020
445,326
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-100 V
-100 V
Continuous Drain Current (ID)
28 A
28 A
Threshold Voltage
-3 V
-3 V
Rds On Max
41 mΩ
41 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
5.2 W
5.2 W
Input Capacitance
4.6 nF
4.6 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-07-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

onsemiHUF75631SK8T
MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP
Détails
onsemiFDS3682
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin SOIC T/R
Détails
onsemiFDS3670
MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
Détails
InfineonIRF7853TRPBF
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails
onsemiFDS86141
N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 7A, 23mΩ
Détails
InfineonIRF7853PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14.4 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;gFS 11S
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay SI7489DP-T1-E3 fournies par ses distributeurs.

SI7489DP-T1-E3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 28 A, 100 V, 8-PIN SOIC
RS (Formerly Allied Electronics)
Single P-Channel 100 V 0.041 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Future Electronics
MOSFET, P CHANNEL, -100V, -28A, POWERPAK SO-8, FULL REEL; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:28A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Power Dissipation:83W RoHS Compliant: No
Newark
MOSFET, P, PPAK SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):41mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-28A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:PowerPAK; Power Dissipation Pd:83W; Power Dissipation Pd:5.2W; Rise Time:20ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:-3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:1V
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Images

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Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
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Newark
Future Electronics
iiiC

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SI7489DP-T1-E3.
  • SI7489DPT1E3