Vishay SI7439DP-T1-GE3

Trans Mosfet P-ch 150V 3A 8-PIN Powerpak So T/r / Mosfet P-ch 150V 3A Ppak SO-8
$ 2.188
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
DigiKey
2
SI7439DP-T1-GE3CT-ND8301Cut Tape
Arrow ElectronicsSI7439DP-T1-GE3351
VericalSI7439DP-T1-GE3354
RutronikTMOSP115876 0003K
24m
TTI
2
SI7439DP-T1-GE330 0003KTape & Reel
20h

Fiches techniques et documents

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Datasheet12 pagesIl y a 6 ans

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
VishaySI7439DP-T1-GE3
VishaySI7439DP-T1-E3
Price @ 1000
$ 2.188
$ 2.189
Stock
285,666
264,835
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-150 V
-150 V
Continuous Drain Current (ID)
3 A
3 A
Threshold Voltage
-4 V
-4 V
Rds On Max
90 mΩ
90 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.9 W
1.9 W
Input Capacitance
-
-

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-08-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

Pièces détachées

VishaySI4848DY-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 2.7 A, 85 MilliOhms, NSOIC, 8 Pins, Surface Mount
Détails
VishaySI7898DP-T1-E3
SI7898DP-T1-E3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 150 V, 8-PIN SOIC
Détails
VishaySI7898DP-T1-GE3
N-Channel 150 V 85 mO 17 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Détails
InfineonIRF7451TRPBF
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A) | MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
Détails
onsemiFDC86244
N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET, 150 V, 2.3 A, 144 mΩ
Détails
onsemiFDT86244
FDT86244 Series 150 V 128 mOhm N.Ch. SMT PowerTrench Mosfet - SOT-223-3
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay SI7439DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Win Source
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 5.2 A, 0.073 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Avnet
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:5.2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:6V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:1.9W; No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: No
Newark
MOSFET,P CH,DIODE,150V,5.2A,SO8 PPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.2A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):0.073ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:5.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-5.2A; Power Dissipation Pd:5.4W; Voltage Vgs Max:-20V
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Images

Vishay
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Newark
Newark
Future Electronics
iiiC

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SI7439DP-T1-GE3.