Vishay SI7308DN-T1-E3
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Obsolete
Prix et stock
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Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI7308DN-T1-E3 | 549 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SI7308DN-T1-E3 | 2 187 | 13 | |||||||||
| DigiKey | SI7308DN-T1-E3CT-ND | 168 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SI7308DN-T1-E3 | 0 | 3K | 5d | ||||||||
| TTI Asia | SI7308DN-T1-E3 | Contact | 1d |
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Pièces de rechange
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Price @ 1000
$ 0.636
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Stock
467,785
417,710
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
5.4 A
5.4 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
58 mΩ
58 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.2 W
3.2 W
Input Capacitance
665 pF
665 pF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-05-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13
Pièces détachées
VishaySI4946BEY-T1-GE3
SI4946BEY-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.5 A, 60 V, 8-PIN SOIC
InfineonIRF7478TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7478PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de Vishay SI7308DN-T1-E3 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 60 V 58 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R / MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
60V 6A 58m´Î@10V5.4A 19.8W 3V@250Ã×A N Channel PowerPAK 1212-8 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
3.2W(Ta),19.8W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 20nC@ 10 V 1N 60V 58m¦¸@ 5.4A,10V 6A 665pF@15V 3.3mm*3.3mm*1.04mm
N-CH 60V 6A 58mOhm PwrPAK1212-8
MOSFET, N-CH, 60V, 6A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 19.8W; Transistor Case Style: PowerPAK 1212; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance665 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.2 W
Rds On Max58 mΩ
Resistance58 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité