Vishay SI7252DP-T1-GE3
$ 1.08
NRND
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SI7252DP-T1-GE3 | 3 000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | SI7252DP-T1-GE3 | 1 959 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SI7252DP-T1-GE3 | 78 000 | 3K | |||||||||
| Verical | SI7252DP-T1-GE3 | 78 000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | SI7252DP-T1-GE3 | 6 000 | 3K | Tape & Reel |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | 3D | Télécharger | |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-14
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
VishaySIR878DP-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
InfineonBSZ150N10LS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
VishaySIR876ADP-T1-GE3
Single N-Channel 100 V 14.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
VishaySI7456DDP-T1-GE3
VISHAY SI7456DDP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 27.8 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V
Descriptions
Descriptions de Vishay SI7252DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Avnet Japan
Dual N-Channel 100 V 18 mOhm 46 W TrenchFET Mosfet - PowerPAK SO-8
MOSFET, N-CH, 100V, 36.7A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:36.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:46W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)36.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance17 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationDual
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.17 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation46 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max17 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité