Vishay SI7178DP-T1-GE3

Single N-Channel 100 V 0.014 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Obsolete
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
TTISI7178DP-T1-GE303KTape & Reel
7h
NewarkSI7178DP-T1-GE303KTape & Reel
TTI AsiaSI7178DP-T1-GE3Contact
8h
AvnetSI7178DP-T1-GE303K
7h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.SI7178DP-T1-GE32 2941Tape & Reel
5h

Fiches techniques et documents

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Newark

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Farnell

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRFS4610TRLPBF
Single N-Channel 100 V 14 mOhm 140 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Détails
InfineonIRFH5110TRPBF
Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
Détails
InfineonIRFH5110TR2PBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN package
Détails
onsemiFDB3652
N-Channel 100 V 16 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3
Détails
InfineonIRF6644TRPBF
Single N-Channel 100 V 13 mOhm 47 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Détails
onsemiHUF75645S3ST
N-Channel UltraFET Power MOSFET 100V, 75A, 14mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay SI7178DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 100 V 0.014 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Avnet
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET | Siliconix / Vishay SI7178DP-T1-GE3
RS (Formerly Allied Electronics)
N-Channel 100-V (D-S) Mosfet Rohs Compliant: Yes
Newark
Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Semicontronic
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
DigiKey
N CHANNEL MOSFET, 100V, 60A, PowerPAK; T; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:6.25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:60A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:PowerPAK; Power Dissipation Pd:104W; Power Dissipation Pd:6.25W; Rise Time:10ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V; Voltage Vgs th Min:2.5V
element14 APAC

Images

element14 APAC
element14
element14
Future Electronics
Component Sense
iiiC

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SI7178DP-T1-GE3.