Vishay SI4936CDY-T1-GE3
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Production
Prix et stock
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Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI4936CDY-T1-GE3 | 110 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | SI4936CDY-T1-GE3 | 2 500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | SI4936CDY-T1-GE3 | 2 715 | 138 | |||||||||
| TME | SI4936CDY-T1-GE3 | 2 715 | 1 | 13h | ||||||||
| TTI | SI4936CDY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 17h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Vishay SI4936CDY-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
MOSFETs Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5A RDS(ON)=40mΩ@10V SOIC8_150MIL
30V 5.8A 40m´Î@10V5A 2.3W 3V@250Ã×A 2 N-Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, NN-CH, 30V, 5.8A, SO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:2.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:5.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):33mohm; Power Dissipation Pd:2.3W; Voltage Vgs Max:20V
Channel Type:Dual N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:-; Continuous Drain Current Id N Channel:5.8A; Continuous Drain Current Id P Channel:-; No. of Pins:8Pins; Product Range:- RoHS Compliant: No
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance325 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Rds On Max40 mΩ
Resistance40 mΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité