onsemi FDS6930B
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-07-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Pièces détachées
InfineonIRF9389TRPBF
Mosfet, N/P-Ch, 30V, 6.8A, Soic Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF9389TRPBF
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS6930B fournies par ses distributeurs.
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 30V, 5.5A, 38mΩ
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
These N-Channel Logic Level MOSFETs are producedusing Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailoredto minimize the on-state resistance and yet maintainsuperior switching performance.These devices are well suited for low voltage andbattery powered applications where low in-line powerloss and fast switching are required.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Current55 A
Current Rating5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance38 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance412 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.9 V
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max38 mΩ
Resistance38 MΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage30 V
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité