Vishay SI3457CDV-T1-GE3
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Stock
1,441,200
851,786
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TSOP
TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
5.1 A
5.1 A
Threshold Voltage
-1 V
-
Rds On Max
74 mΩ
74 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
450 pF
450 pF
Pièces détachées
InfineonIRFTS9342TRPBF
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
NXP SemiconductorsPMN38EN,135
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de Vishay SI3457CDV-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Single P-Channel 30 V 74 mOhm Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R / MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
MOSFET,P CH,30V,5.1A,TSOP6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.1A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-4.1A; Power Dissipation Pd:2W; Voltage Vgs Max:-20V
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:5.1A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V; Power Dissipation:3W; No. Of Pins:6Pins; Msl:-Rohs Compliant: No |Vishay SI3457CDV-T1-GE3.
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance74 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance450 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max74 mΩ
Resistance74 mΩ
Rise Time80 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité