Vishay SI2307CDS-T1-GE3

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.5 A, 88 MilliOhms, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount
$ 0.194
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
AvnetSI2307CDS-T1-GE36 0003K
19h
Newark
2
SI2307CDS-T1-GE3731Cut Tape
Future ElectronicsSI2307CDS-T1-GE363 0003KTape & Reel
RutronikTMOSS628954 0003K
15m
Verical
2
SI2307CDS-T1-GE37952

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SI2307CDS-T1-GE3.

Farnell

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Future Electronics

TME

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
VishaySI2307CDS-T1-GE3
VishaySI2307CDS-T1-E3
Price @ 1000
$ 0.194
$ 0.272
Stock
2,087,042
1,083,817
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
2.7 A
2.7 A
Threshold Voltage
-3 V
-
Rds On Max
88 mΩ
88 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.1 W
1.1 W
Input Capacitance
340 pF
340 pF

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Pièces détachées

VishaySI2307BDS-T1-GE3
Si2307BDS Series 30 V 2.5 A Surface Mount P-Channel Mosfet - SOT-23-3 (TO-236)
Détails
VishaySI2304BDS-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.07 Ohm 0.75 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
Détails
VishaySI2306BDS-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
Détails
Diodes Inc.DMP3160L-7
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Détails
Diodes Inc.ZXMN3B14FTA
N-Channel 30 V 0.08 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-23
Détails
Diodes Inc.DMN3200U-7
Single N-Channel 30 V 200 mOhm 650 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay SI2307CDS-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.5 A, 88 MilliOhms, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 0.088ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
IHS
P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236, FUL; P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -2.7A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.138ohm; R
Farnell
MOSFET, P-CH, 30V, 3.5A, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):73mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:1.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-3.5A; Power Dissipation Pd:1.1W; Voltage Vgs Max:20V
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Images

Vishay
DKO Electronshik
Newark
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TME
TME
Farnell
Newark
Future Electronics
Micros
iiiC

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SI2307CDS-T1-GE3.
  • SI2307CDS-T1GE3
  • SI2307CDST1GE3