Vishay IRF740PBF

Name: Vishay IRF740PBF
Brand: Vishay
SKU: IRF740PBF

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB / MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

$ 0.871

Production

Page du fabricant Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRF740PBF	20 980	1		1,124	1,070	1,058	1,058	1,058	2d
Newark	2	IRF740PBF.	20 980	1		2,960	1,960	1,690	1,570	1,570
Verical	4	IRF740PBF	489	9			1,301	1,090	0,836	0,730
Arrow Electronics		IRF740PBF	489	1		2,380	1,301	1,090	1,090	1,090
Future Electronics		IRF740PBF	5 790	25	Tube			0,775	0,760	0,705

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IHS

Datasheet7 pagesIl y a 2 ans

Datasheet9 pagesIl y a 14 ans

Newark

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-07-09

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-06-30

LTD Date2008-09-30

Pièces détachées

onsemiFQP11N40C

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 400 V, 10.5 A, 530 mΩ, TO-220

Détails

VishayIRF740APBF

Transistor MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB

Détails

onsemiIRF740B

Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Tc 10A 134W 85ns

Détails

VishayIRF840PBF

IRF840PBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 8 A, 500 V, 3-PIN TO-220AB

Détails

VishayIRFB11N50APBF

Single N-Channel 500 V 0.52 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3

Détails

onsemiFQP9N30

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 300 V, 9 A, 450 mΩ, TO-220

Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay IRF740PBF fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB / MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Win Source

Single N-Channel 400 V 550 mO 63 nC Power Mosfet - TO-220-3 (TO-220AB)

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

N CHANNEL MOSFET, 400V, 10A, TO-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:400V; Continuous Drain Current Id:10A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; MSL:- RoHS Compliant: No

Newark

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

TRANSISTOR,MOSFET, POLARITY N; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N-Channel; Voltage, Vds Typ:400V; Current, Id Cont:10A; Resistance, Rds On:0.55ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

Farnell

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

VIS
VISH
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Vishay Thin Film
Vishay Intertechnology
VISHA
Vishay Semiconductors
VISAHY
Vishay Intertech
VISHY
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
Vishay Intertechnologies
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay Semiconductor Opto Division
VSHAY
VISH/IR
VSHY
VSH
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
VISHAY ELECTRONIC
VISHAY AMERICAS INC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VISHAY OPTO
VISHAY FOIL RESISTORS
Vishay Polytech
Vishay Semiconductor
Vishay Sfernice
Vishay Siliconix
Vishay Dale
Vishay BCcomponents
Vishay Angstrohm
Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IRF 740 PBF
IRF740-PBF
IRF740PBF.
IRF740PBF..

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-220AB

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight6.000006 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)10 A

Current Rating10 A

Drain to Source Breakdown Voltage400 V

Drain to Source Resistance550 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)400 V

Dual Supply Voltage400 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time24 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.4 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation125 W

Min Breakdown Voltage400 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingBulk

Power Dissipation125 W

Rds On Max550 mΩ

Recovery Time790 ns

Resistance550 MΩ

Rise Time27 ns

Schedule B8541290080

TerminationThrough Hole

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time50 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Voltage Rating (DC)400 V

Dimensions

Height19.89 mm

Length10.41 mm

Width4.7 mm

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Datasheet7 pagesIl y a 2 ans

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Newark

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement5 pagesIl y a 14 ans