onsemi FQP9N30
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-09-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 12 hours ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 12 hours ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQP9N30 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 300 V, 9 A, 450 mΩ, TO-220
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Rail
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 300V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
98W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 22nC@ 10V 1individualNChannel 300V 450m¦¸@ 4.5A,10V 9A 750pF@25V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
MOSFET, N-CH, 300V, 9A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:300V; On Resistance Rds(on):0.35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Vol
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage300 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance750 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation98 W
Min Breakdown Voltage300 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation98 W
Rds On Max450 mΩ
Rise Time120 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)300 V
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité