Vishay IRF630SPBF
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB11N52K3
N-channel 525 V, 0.41 Ohm, 10 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIPB60R380C6ATMA1
INFINEON - IPB60R380C6ATMA1 - MOSFET Transistor, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
Descriptions
Descriptions de Vishay IRF630SPBF fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N Channel Mosfet, 200V, 9A, Smd-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:9A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Vishay IRF630SPBF
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance800 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation74 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max400 mΩ
Resistance400 MΩ
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time9.4 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité