onsemi FQB34P10TM
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
$ 1.56
$ 1.71
Stock
462,951
145,422
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
-100 V
-100 V
Continuous Drain Current (ID)
33.5 A
33.5 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
60 mΩ
60 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
25 V
Power Dissipation
3.75 W
3.75 W
Input Capacitance
2.91 nF
2.91 nF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishaySUM110N10-09-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
VishaySUM90N10-8M2P-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
VishaySUM70040E-GE3
VISHAY SUM70040E-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V
InfineonIPB083N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIPB052N04N G
N-CHANNEL POWER MOSFET N-Channel 40 V 70A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO-263-3-2
Descriptions
Descriptions de onsemi FQB34P10TM fournies par ses distributeurs.
TRANSISTOR, P-CHANNEL, QFET MOSFET, -100V, -33.5A, 60 MOHM, 175C MAX, D2PAK
Transistor: P-MOSFET; unipolar; 100V; 23.5A; 155W; D2PAK; QFET®
P-Channel QFET® MOSFET -100V, -33.5A, 60mΩ
P-Channel 100 V 0.06 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:33.5mA; On Resistance, Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)33.5 A
Current Rating-34 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time210 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.91 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation155 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance60 mΩ
Rise Time250 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time160 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité