Texas Instruments CSD19535KTTT
$ 2.695
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
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$ 3.952
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Stock
417,119
209,030
209,030
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-263
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
200 A
201 A
201 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
3.4 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
-
340 W
340 W
Input Capacitance
7.93 nF
-
-
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Ressources d’ingénierie
Voir les kits d'évaluation et les conceptions de référence pour Texas Instruments CSD19535KTTT.
Pièces détachées
onsemiFDB035N10A
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 214 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonAUIRFS3107-7TRL
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK / N-Channel 75 V 240A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
InfineonAUIRFS4010-7TRL
Trans MOSFET N-CH Si 100V 190A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R / HEXFETPower MOSFET
InfineonIRFS3107PBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
onsemiFDB024N08BL7
Single N-Channel 80 V 246 W 178 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - TO-263-7
Descriptions
Descriptions de Texas Instruments CSD19535KTTT fournies par ses distributeurs.
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 3.4 mOhm 2-DDPAK/TO-263 -55 to 175
MOSFET N-CH 100V 200A TO263 / Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 4-Pin(3+Tab) TO-263 T/R
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias du fabricant
Texas Instruments possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Texas Instruments peut également être connu sous les noms suivants :
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins2
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 A
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.93 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Operating Temperature-55 °C
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max3.4 mΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Length10.16 mm
Thickness4.4 mm
Width8.41 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeContains Lead
RoHSCompliant
Déclarations de conformité