onsemi FDB024N08BL7
$ 2.28
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-06-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRLS3036TRLPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 60V, 270A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
InfineonAUIRFS3006-7TRL
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7p Package
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB024N08BL7 fournies par ses distributeurs.
onsemi N-Ch MOSFET PowerTrench, Vds=80V, Id=229A, D2PAK (TO-263), SMD, 7-Pin
Single N-Channel 80 V 246 W 178 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - TO-263-7
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 229A, 2.4mΩ
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Weight1.312 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.53 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation246 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation246 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time66 ns
Turn-Off Delay Time87 ns
Turn-On Delay Time47 ns
Dimensions
Height4.9 mm
Length10.2 mm
Width9.4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité