Texas Instruments CSD13381F4
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Pièces de rechange
1 composant disponible
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
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$ 0.343
Stock
1,594,225
2,190,529
Authorized Distributors
4
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
QFN
QFN
Drain to Source Voltage (Vds)
12 V
12 V
Continuous Drain Current (ID)
2.1 A
2.1 A
Threshold Voltage
-
850 mV
Rds On Max
180 mΩ
180 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
500 mW
500 mW
Input Capacitance
200 pF
200 pF
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Ressources d’ingénierie
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Kit d’évaluation
Pièces détachées
InfineonIRFH8324TR2PBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 23A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
Descriptions
Descriptions de Texas Instruments CSD13381F4 fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR / Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 180 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Ch MOSFET, 12V, 2.1A, 180mΩ@500mA,4.5V, 500mW(Ta), 1.1V@250µA, 1.4nC@4.5V, 200pF@6V, PICOSTAR-3, SMD, 350μm H
Alias du fabricant
Texas Instruments possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Texas Instruments peut également être connu sous les noms suivants :
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance200 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation500 mW
Rds On Max180 mΩ
Rise Time1.5 ns
Schedule B8541210040
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time3.7 ns
Dimensions
Height350 µm
Length1.035 mm
Width635 µm
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