STMicroelectronics STY105NM50N
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTY100NM60N
N-channel 600 V, 0.025 Ohm typ., 98 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
STMicroelectronicsSTWA88N65M5
N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
VishayIRFPS40N60KPBF
IRFPS40N60K Series N-Channel 600 V 130 mOhm 570 W Power Mosfet - Super-247
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STY105NM50N fournies par ses distributeurs.
N-channel 500 V, 0.018 Ohm typ., 110 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
MOSFET N-CH 500V 110A MAX247 / N-Channel 500 V 110A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 110 A, 0.019 ohm, MAX-247, Through Hole
Mosfet, N-Ch, 500V, 110A, Max-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STY105NM50N
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins247
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance9.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation625 W
Rds On Max22 mΩ
Resistance22 MΩ
Rise Time88 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time353 ns
Turn-On Delay Time47 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant