STMicroelectronics STY100NM60N
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-06
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-10
LTD Date2027-03-10
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTY105NM50N
N-channel 500 V, 0.018 Ohm typ., 110 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
STMicroelectronicsSTWA88N65M5
N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
onsemiFCH023N65S3-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V , 75 A, 23 mΩ, TO-247
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STY100NM60N fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.025 Ohm typ., 98 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
STY100NM60N N-channel MOSFET Transistor, 98 A, 650 V, 3-Pin Max247
MOSFET N CH 600V 98A MAX247 / N-Channel 600 V 98A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
Mosfet, N-Ch, 600V, 98A, Max-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:98A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STY100NM60N
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins247
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)98 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time81 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance9.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation625 W
Rds On Max29 mΩ
Rise Time52 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time372 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Dimensions
Height20.3 mm
Length15.9 mm
Width5.3 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant