STMicroelectronics STY60NM60
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW72N60DM2AG
N-Channel 600 V 42 mOhm Flange Mount MDmesh DM2 Power Mosfet - TO-247
onsemiFCH041N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 41 mΩ, TO-247
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STY60NM60 fournies par ses distributeurs.
N-CHANNEL 600V - 0.050 Ohm - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh(TM)Power MOSFET
560W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 266nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 55m¦¸@ 30A,10V 60A 7.3nF@25V MAX-247-3 Through hole mounting 15.9mm*5.3mm*20.3mm
MOSFET, N CH, 600V, 60A, MAX247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:30V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:560W; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:MAX-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:60A; Package / Case:Max-247; Power Dissipation Pd:560W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Current Rating60 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time76 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance7.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation560 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation560 W
Rds On Max55 mΩ
Rise Time95 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height20.3 mm
Length5.9 mm
Width5.3 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant