STMicroelectronics STW25N80K5
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Pièces détachées
VishayIRFP22N60KPBF
Single N-Channel 600 V 0.28 Ohm 150 nC 370 W Flange Mount Mosfet - TO-247AC
STMicroelectronicsSTWA20N95K5
Mosfet, N-Ch, 950V, 17.5A, To-247Ll Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STWA20N95K5
STMicroelectronicsSTW23N85K5
N-channel 850 V, 0.2 Ohm typ., 19 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW25N80K5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 800 V, 0.19 Ohm typ., 19.5 A SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-247 package
Trans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
STW25N80K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 19.5 A, 800 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 19.5A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh K5, SuperMESH5series, Vds=800 V, 19.5 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
Mosfet, N-Ch, 800V, 19.5A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:19.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW25N80K5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance260 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max260 mΩ
Resistance260 MΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant